Name: Vishay Siliconix SI5485DU-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5485DU-T1-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI5485DU-T1-E3

Artikelnummer:

SI5485DU-T1-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI5485DU-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI5485DU-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PowerPAK® ChipFET™ Single
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Verlustleistung (max)	3.1W (Ta), 31W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	PowerPAK® ChipFET™ Single
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 8 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	12A (Tc)
Grundproduktnummer	SI5485
SI5485DU-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SI5485DU-T1-E3 PDF - EN.pdf

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